簡介 : 本品未摻入任何摻雜源

客戶可根據生產技術需求，在本乳膠源中可摻入所需的磷、硼、砷、銻、鋁等各種一定濃度的雜質，雜質含量可以在較大范圍內進行調節；使之成為摻雜二氧化硅乳膠，從而可應用于雜質擴散，使用摻雜二氧化硅乳膠，可得到一系列其它目前常用的源所沒有的優點。

乳膠源涂布在硅片表面后經擴散不會損害硅的表面，擴散中又不存在如液態磷源產生的偏磷酸等的沾污，因而硅片表面清潔無合金點加上乳膠源在涂布和擴散中有毒雜質析出少，特別是用磷砷等有劇毒的物質作擴散雜質源時，使用乳膠源就比液態源安全方便得多，而且還能延長石英管的使用壽命等等。

應用范圍：半導體芯片擴散摻雜源。

質量效果：摻磷乳膠源新材料經客戶十多年使用，用戶反映效果良好，擴散結果系數相對集中，片子結深均勻，磷花較細、硅片表面清潔、厚度均勻硅晶格保持完整、無合金點；擴散后器件表面清潔干燥，不會損害硅的表面有利于光刻。

優點：設備簡單、工序少、一步工藝即可完成擴散，源濃度可以在較大范圍內調節、基本無毒雜質析出等，比目前常用的液態源、固態源具有更多的優越性，基本無毒無氣味更環保,比常規工藝更簡便、穩定、可靠、安全；同時擴散中又不受氣流影響，在同一爐中不但同一片大園片上一致性好，而且片間均勻性也很好，其結果重復性也相當好。

操作工藝：

1. ? ? 采用涂布法涂源：采用中心自轉式涂佈機。開動馬達啟動涂佈機，使硅片涂膠吸附盤高速旋轉，轉速約3000-4000轉 /分，將清潔的硅片放在涂膠吸附盤上，用真空吸附法吸住片子，用筆刷將源涂在硅片上，讓源佈滿整個硅片。涂源時要注意：使用時先將源搖勻

（不用時要用保鮮膜密封好存儲冷藏柜），源量要均勻佈滿整個硅片表面，涂源的涂膠盤轉動要平穩，不可偏心。涂源量的多少、涂膠盤的轉速、涂膠時間等等均對源膜厚有影響。為保證產品參數一致性，必須嚴格掌握好涂源條件，有條件的話操作者最好固定；整個涂源

過程必須在凈化環境下進行，相對濕度 必須小于40%。

2. ? ? 預烘：目的是去除乳膠膜中過量的溶劑，增加膜和硅片的粘附性。預烘溫度200°C 左右。將插好片的石英舟放在溫度已升到所需值的擴散石英管口，時間30分鐘 左右。

3. 擴散：預烘后即可將片子推入恒溫區中進行擴散，擴散溫度和時間磷擴→1220℃/3.5H(R口系數0.19-0.20之間)。

使用和貯藏注意事項：

1、遠離火種、熱源。包裝必須密封，切勿受潮。應與易燃、可燃物，堿類等分開存放。防止包裝及容器損壞。雨天不宜運輸。

2、用多少，倒多少。因源易揮發，要迅速涂片，原裝瓶蓋子蓋好。

3、磷源要放2~5度冰箱保存，千萬不可靠冰箱壁放。

4、使用本品操作時注意手防護：戴防毒物滲透手套。

保質期：60天

包裝：紙箱內置泡沫箱，每箱10瓶裝（10L)，塑料瓶裝：1L凈液。

發明專利證書：證書號第3850860號 ? 產品專利號：ZL ?2018 ?l ?0555900.0